问题详情：
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场，磁感应强度B＝B0＋kz(B0、k均为常数)．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示)，当物体沿z轴正方向平移时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同．则( )
A．磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大
B．k越大，传感器灵敏度(
)越高
C．若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高
D．电流越大，上、下表面的电势差U越小
【回答】
AB
【详解】
霍尔元件中移动的是自由电子，自由电子受到洛伦兹力发生偏转，根据左手定则可判断上下两表面分别带上正负电荷，从而形成电势差，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡,故下板电势低,故C错误；最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有
，电流的微观表达式为
，代入得
，所以B越大，上、下表面的电势差U越大；电流越大，上、下表面的电势差U越大，故A项正确，D项错误；根据B＝B0＋kz，k越大， B随z的变化越大，根据
知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度
越高，故B项正确．故*为AB．
知识点：质谱仪与回旋加速器
题型：选择题